سال انتشار: ۱۳۸۷

محل انتشار: نهمین سمینار ملی مهندسی سطح و عملیات حرارتی

تعداد صفحات: ۸

نویسنده(ها):

حمید رضا فلاح – دانشیار گروه پژوهشی اپتیک کوانتومی ، گروه فیزیک دانشگاه اصفهان
محسن قاسمی – دانشجوی دکتری ، گروه فیزیک دانشگاه اصفهان

چکیده:

در این مقاله لایه های نازک اکسید اینیوم آلاییده با قلع با درصد ترکیب ده درصد SNO2 و ۹۰% In2o3 در دمای اتاق بروی بسترهای شیشه ای با استفاده از روش تبخیر پرتو الکترونی انباشته شده اند سپس آنها را در مجاورت هوا در دماهای مختلف از ۳۵۰ تا ۵۵۰ به مدت یک ساعت حرارت داده ایم مطالعه نمودارهای پراش پرتو ایکس نشان میدهد که افزایش دمای پخت باعث افزایش بلورینگی لایه ها میشود در دمای ۵۵۰ درجه بلورینگی لایه های نازک با کیفیت بالا با اندازه دانه ۳۷ nmبدست آمد اندازه گیری های الکتریکی نشان میدهد رسانندگی الکتریکی نسبتا بالا در حدود ۷ ´۱۰-۴Wcm بدست آورده شد طیف تراگسیل در ناحیه مرئی نشان میدهد که دمای پخت تاثیر به سزایی در میزان شفافیت لایه هاITOnدارد بالاترین شفافیت در حدود ۹۲% در دمای پخت در دمای ۵۵۰ درجه بدست آمدهمچنین در این مقاله گاف انرژی مستتقیم نیز برای لایه های پخت شده در دمای ۵۵۰ تخمین زده شد که مقدار ۳٫۸۵ -۳٫۹۶ بدست آمد که با سایر مقادیر گزارش شده توسط دیگر محققان همخوانی دارد