سال انتشار: ۱۳۸۶

محل انتشار: کنفرانس فیزیک ایران ۱۳۸۶

تعداد صفحات: ۴

نویسنده(ها):

مهدی گودرزی – دانشکده فیزیک دانشگاه صنعتی شریف
روح الله عظیمی راد – دانشکده فیزیک دانشگاه صنعتی شریف
امید اخوان – دانشکده فیزیک دانشگاه صنعتی شریف
مرتضی فتحی پور – پژوهشکده علوم و فناوری نانو،دانشگاه صنعتی شریف

چکیده:

در این تحقیق ، برای اولین بار نانومیله های اکسید تنگستن با حرارت د ادن لایه نازک تنگستن که با روش اسپاترینگ مغناطیسی DC بر روی سطح زیرلایه میکا لایه دقیقه ) رشد داده ۱۲۰ به مدت N2 در محیط گاز ۹۰۰۰ C دقیقه و دمای ۱۵ به مدت H2 در محیط گاز ۷۰۰۰ C نشانی شده، در شرایط مشخص و کنترل پذیر ( دمای به ترتیب ریخت شناسی ،شکل ، ابعادو توزیع آنهادر سـطحشدند . با استفاده ازتکنیک میکروسکوپی الکترونی روبشی SEMو همچنین پراش اشعه(XRD )X ( به ریخت شناسی ،شکل ، ابعادو توزیع آنهادر سـطح و همچنین تعیین فازها و ساختار کریستالی نانو میله ها بررسی گردید . بر اساس تحلیل نتایج بدست آمده از آنالیز های فوق، نانو میله های سـنتز شـده توسـط ایـن روش دارای طول ۱-۵ µm و پهنای ۷۰ -۲۰۰ nm می باشند و جهت کریستالی آنها در راستای (۴۰۰) تعیین شد .