سال انتشار: ۱۳۸۷

محل انتشار: نهمین کنفرانس ملی مهندسی ساخت و تولید

تعداد صفحات: ۸

نویسنده(ها):

مهشید سام – دانشجوی کارشناسی ارشد مهندسی مواد دانشگاه شیراز
میلاد مجتهدی – دانشجوی دکترای مهندسی مواد،دانشگاه علم و صنعت ایران
کمال جانقربان – استاد بخش مهندسی مواد دانشگاه شیراز

چکیده:

در این تحقیق لایه نازک سولفید کادمیم به روش لایه نشانی شیمیای تشکیل شد. این پوشش بر روی دو زیر لایه شیشه پوشش داده شده با (ITO(Indium Tin Oxideو آلومینیم پوشش داده شده با لایه دی الکتریک SiO2 ایجاد شد. با تغییر زمان پوشش دهی، تغییرات ضخامت پوشش بر رویITOاندازه گیری شد و اثر آن بر روی شکاف انرژی بررسی شد. همچنین اثر تغییر نسبت یونی S/Cd پوششهای زیر لایه SiO2 بر روی شکاف انرژی مورد آزمایش قرار گرفت. مقدار شکاف انرژی در مورد زیر لایه آلومینیم بین۱۲۷/۲ تا ۱۹۹/۲و با زیر لایه ITO بین۹/۱ تا ۷۱/۲اندازه گیری شد.