سال انتشار: ۱۳۸۷

محل انتشار: کنفرانس فیزیک ایران ۱۳۸۷

تعداد صفحات: ۵

نویسنده(ها):

فاطمه آئینه وند – گروه فیزیک دانشگاه آزاد اسلامی واحد کرج
امیرحسین احمدخان کردبچه – مرکز تحقیقات فیزیک نظری و ریاضیات، گروه فیزیک دانشگاه ایران

چکیده:

در این مقاله تاثیر ناخالصی الکتریکی بر ترابرد اسپینی در یک سیم کوانتومی مغناطیسی جفت شده به دو رینگ کوانتومی (متاثر از شار مغناطیسی) در مدل بستگی قوی و روش تابع گرین در فرمول بندی لاندائور مورد بررسی قرار گرفته است. حضور ناخالصی الکتریکی جایگزیده در مرکز سیم به دلیل فرونشانی تداخل تناوبی در سیستم، منجر به افزایش کانال های رسانش و ترابرد وابسته به اسپین در سیستم می شود. همچنین در حضور شار مغناطیسی پیک های رزونانسی بیشتری به دلیل جابجایی حالات تبهگن در ویژه حالات انرژی پدیدار می شود. ناخالصی الکتریکی رفتار نوسانی آن هارا تغییر می دهد.