سال انتشار: ۱۳۸۵

محل انتشار: چهاردهمین همایش بلور شناسی و کانی شناسی ایران

تعداد صفحات: ۶

نویسنده(ها):

نگین معنوی زاده – گروه فیزیک، دانشکده علوم، دانشگاه صنعتی خواجه نصیرالدین طوسی
محمدهادی ملکی – پژوهشکده لیزر و اپتیک، سازمان انرژی اتمی ایران

چکیده:

لایه های نازک اکسید ایندیم آلاییده به قلع (ITO) بر روی زیر لایه های شیشه ای به شیوه کندوپاش RF و با استفاده از هدف سرامیکی (In2O3-SnO2, 90-10wt.%) ITO لایه نشانی شده، سپس عملیات پخت بعد از انجام لایه نشانی، در محیط خلا دردماهای مختلف انجام گرفته است. تغییر ساختاری بلوریاین لایه ها در دماهای مختلف و تاثیر آن بر خواص الکتریکی و اپتیکی این لایه ها مورد بررسی قرار گرفته است. ساختار کریستالی، مشخصه های الکتریکیو اپتیکی این لایه های نازک به ترتیب توسط انالیزهای XRD مقاومت چهارپروبی و طیف سنجی UV/VIS/IR بررسی شده است. نتایج نشان می دهد که با افزایش دمای پختدر خلاء ساختار کریستالیلایه ها تغییر کرده و به دنبال آن مقاومت الکتریکی و شفافیت لایه بهبود می یابد.