سال انتشار: ۱۳۸۶

محل انتشار: کنفرانس فیزیک ایران ۱۳۸۶

تعداد صفحات: ۴

نویسنده(ها):

محمدحسین توکلی – همدان، دانشگاه بوعلی سینا، دانشکده علوم، گروه فیزیک
عبداله اجاقی – همدان، دانشگاه بوعلی سینا، دانشکده علوم، گروه فیزیک
ابراهیم ممیوند – همدان، دانشگاه بوعلی سینا، دانشکده علوم، گروه فیزیک

چکیده:

تاثیر یک گرم کننده جانبی فعال روی میدان دما در یک بلور sapphire در حال رشد از مذاب، بوسیله حل معادله هدایت گرمایی از طریق محاسبات عددی و برخی ملاحظات تجربی مورد بررسی قرار می گیرد . نشان داده می شود که در سیستم دارای گرم کننده جانبی فعال ( رسانا ) ، تغییرات میدان دما نسبتا خطی بوده و گرادیان محوری دما روی محور تقارن بلور، مقدار نسبتا ثابتی دارد . در این حالت، تنش های گرمائی کمتری در بلور رشد یافته بوجود می آید