سال انتشار: ۱۳۸۴

محل انتشار: دوازدهمین کنفرانس اپتیک و فوتونیک ایران

تعداد صفحات: ۵

نویسنده(ها):

بهروز رضائی – پژوهشکده فیزیک کاربردی و ستاره شناسی دانشگاه تبریز
منوچهر کلافی – پژوهشکده فیزیک کاربردی و ستاره شناسی دانشگاه تبریز

چکیده:

در این مقاله تشکیل گاف فوتونی کامل در یک کریستال فوتونی دو بعدی هگزاگونال که شامل میله های دی الکتریک غیرایزوتروپیک تلوریم(Te) در زمینه هوا است، بررسی می شود . فرض می کنیم این میله ها از یک هسته دی الکتریک که بوسیله لایهخارجی غیر ایزوتروپیک Te احاطه شده، تشکیل می یابند . تمامی گافهای فوتونی کامل در این کریستال فوتونی بر حسب تابعی ازتغییرات شعاع میله داخلی و هسته دی الکتریک مطالعه می شود . این ساختار یک گاف فوتونی کامل بزرگ را نشان می دهد.