سال انتشار: ۱۳۸۶

محل انتشار: چهاردهمین کنفرانس اپتیک و فوتونیک ایران

تعداد صفحات: ۵

نویسنده(ها):

لیلا چهره قانی انزایی – گروه برق دانشگاه سمنان
فرامرز اسمعیلی سراجی – گروه نوری مرکز تحقیقات مخابرات ایران
فرزاد توکلی همدانی – گروه برق دانشگاه سمنان

چکیده:

در این مقاله با روش ضریب موثر اسکالر بهینه ،فیبر کریستال فوتونی خمیده را با فیبر ضریب پله ای با شرایط خمش در مختصات کارتزین مدل سازی کرده ایم . مشخصات انتشاری فیبر کریستال فوتوننی در این شرایط بررسی شد . در ابتدا وابستگی طول موجی ضریب شکست غلاف و ضریب شکست موثر محاسبه و سپس ضریب شکست موثر را در یک PCF خمیده با شعاع خمش های متفاوت در محدوده شعاع خمش بحرانی و تلفات کمینه ، محاسبه کرده ایم . نقاطی که در آن ضریب شکست خمشی PCF مستقل از شعاع خمش بوده را محاسبه و برون یابی شده است .