سال انتشار: ۱۳۸۷

محل انتشار: نهمین کنفرانس ماده چگال

تعداد صفحات: ۴

نویسنده(ها):

سعیده محمدی – گروه فیزیک دانشگاه تربیت معلم سبزوار
اصغر عسگری – پژوهشکده فیزیک کاربردی و ستاره شناسی دانشگاه تبریز

چکیده:

در این مقاله یک مدل جدید تحلیلی برای بررسی جریان ترانزیستورهای اثر میدانی با ساختار نامتجانس AlGaN/GaN ارائه کردیده که در آن پتانسیل کانال در نواحی بدون گیت به صورت تدریجی تغییر می کند. با درنظر گرفتن این مدل، اثرات فاصله های بین درین- گیت (LGD) و بین گیت- سورس (LGS) بر روی مشخصه های ترابردی ترانزیستورهای اثر میدانی AlGaN/GaN HEMT بررسی شده است. نتایج بدست آمده از محاسبات نشان دهنده کارکرد خوب ترانزیستورها برای LGD بزرگ و LGS کوچک می باشد.