سال انتشار: ۱۳۸۵

محل انتشار: کنفرانس فیزیک ایران ۱۳۸۵

تعداد صفحات: ۴

نویسنده(ها):

اصغر عسگری – پژوهشکده فیزیک کاربردی و ستاره شناسی ، دانشگاه تبریز
سعید شجاعی – پژوهشکده فیزیک کاربردی و ستاره شناسی ، دانشگاه تبریز

چکیده:

در این مقاله ساختارزیرباندی وگذار بین زیر باندها به عنوان تابعی از ضخامت لایه سرپوش , با حل خودسازگار معادلات پواسون و شرودینگردرساختارهای Al x Ga 1− x N / GaN بررسی می شوند . کسر نسبی آلومینیوم در این بررسی یک , وضخامت لایه سدی ۴۰ آنگستروم در نظر گرفته شده است . نتایج محاسبات نشان می دهد که تفاوت انرژی بین اولین و دومین زیر تراز که متناظر با طول موجهای مادون قرمز دور و متوسط می باشد . با تغییر ضخامت لایه سرپوش تغییر می کند . هرچه ضخامت لایه سرپوش افزایش یابد , فاصله انرژی بین دو زیر باند اول و دوم کاهش یافته وهمپوشانی توابع موج الکترون در این دو تراز افزایش می یابد و بنابراین گذار بین این دو زیر تراز بیشتر شده و ضریب جذب بزرگتر می شود . برای ساختارهای با کسر نسبی بالا ( مثلا یک ) وضخامت زیاد لایه سد ( مثلا ۴۰ آنگستروم ) انتگرال همپوشانی بین دو تراز و قدرت نوسان کنندگی مستقل از ولتاژ اعمالی دریچه است . بنابراین در این بررسی ولتاژ دریچه صفر در نظر گرفته شده و فقط اثر تغییرات ضخامت لایه سر پوش بررسی می شود .