سال انتشار: ۱۳۸۳

محل انتشار: دوازدهیمن کنفرانس مهندسی برق ایران

تعداد صفحات: ۶

نویسنده(ها):

اشکان بهنام – آزمایشگاه لایه نازک – گروه مهندسی برق و کامپیوتر دانشکده فنی دانشگاه
بهمن حکمت شعار طبری –
بهناز آرون –
شمس الدین مهاجرزاده –

چکیده:

در این مقاله ترانزیستورهای تونلی بر اساس ترکیب مناسبی از اکسید تیتانیوم و سیلیساید نیکل برروی ویفر سیلیکان ( ۱۰۰ ) با موفقیت ساخته شده و نتایج مربوط به خواصالکتریکی – فیزیکی این ادوات بررسی می گردند . در این ادوات لایه اکسید تیتانیوم بعنوان سدی در مقابل تونل زنی از لایه بالایی به لایه سیلیساید میانی عمل کرده که با اعمال ولتاژ مناسب پدیده تونل زنی اتفاق افتاده و جریان الکتریکی حادث می گردد. این ساختار همانند ترانزیستورهای دو قطبی عمل کرده و از سه ناحیه امیتر – بیس و کلکتور تشکیل شده که هر سه لایه توسط اکسید تیتانیوم از هم جدا شده اند . لایه نشانی کلیه نواحی این ترانزیستورها توسط تکنیک پراکنش و بصورت پشت سر هم انجام شده است و با انتخاب ضخامتهای مناسب ضریب تقویت جریان برابر با ۱۲ بدست آمده است . در ادامه کار و در جهت بهبود ساختار ترانزیستورها اکسید تیتانیوم با روش بخار شیم یایی استفاده شده است که ضریب دی الکتریکی در حد ۱۹ الی ۲۱ بدست آمده است. همچنین میدان شکستی برابر با ۱۰به توان۷ v/cm حاصل شده است.