سال انتشار: ۱۳۸۶

محل انتشار: پانزدهیمن کنفرانس مهندسی برق ایران

تعداد صفحات: ۶

نویسنده(ها):

سارا پیداوسی – آزمایشگاه لایه نازک و نانوالکتریک – دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر – دا
آیدا ابراهیمی – آزمایشگاه لایه نازک و نانوالکتریک – دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر – دا
شمس الدین مهاجرزاده – آزمایشگاه لایه نازک و نانوالکتریک – دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر – دا
نیما ایزدی – آزمایشگاه لایه نازک و نانوالکتریک – دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر – دا

چکیده:

در این مقاله روش نوینی برای بلورینه کردن سیلیکان بر روی پلاستیک در دماهای زیر ۱۶۵ درجه سانتیگراد ارائه می گردد. از انجاییکه رشد بلور سیلیکان بصورت معمول دردماهای بالاتر از ۴۵۰ درجه سانتی گراد امکان پذیر می باشد، جهت رشد بلور در دمای پایین ۱۶۵ درجه سانتی گراد برای اولین بار از ترکیب دو مرحله هیدروژناسیون و استرس مکانیکی استفاده شده است که امکان استفاده از پلاستیک بعنوان بستر را محقق می سازد. با استفاده از این تکنیک ترانزیستورهای لایه نازک با سیلیکان با نسبت روشن به خاموش بیش از ۲۰۰۰ و ضریب تحرک پذیری در حد ۱۰ بدست آمده اند.