سال انتشار: ۱۳۸۵

محل انتشار: کنفرانس فیزیک ایران ۱۳۸۵

تعداد صفحات: ۴

نویسنده(ها):

مرتضی فتحی پور – گروه برق و کامپیوتر دانشگاه تهران
زهرا آهنگری – دانشکده فنی

چکیده:

این مقاله دو ساختار همارز Fully Depleted Silicon On Insulator MOSFET (SOI MOSFET) و Double Gate MOSFET (DG MOSFET)مورد بررسی و شبیهسازی قرار گرفتهاندساختار DGMOSFET دارای Ioff کمتری نسبت به ساختار SOI میباشد . نسبت Ion/Ioff در ساختار DG بالاتر از ساختار SOI میباشد . اثر کاهش سد پتانسیل القا شده از درین(DIBL) در SOI MOSFETشدیدتر ازDG MOSFET ساختاراست . DG`دارای قابلیت حرکت بالاتری نسبت به ساختار SOIمیباشد