سال انتشار: ۱۳۹۳
محل انتشار: دومین کنفرانس دستاوردهای نوین در مهندسی برق و کامپیوتر
تعداد صفحات: ۴
نویسنده(ها):
فاطمه گیل زرودی – دانشگاه آزاد اسلامی واحد نور
رضا یوسفی – دانشگاه آزاد اسلامی واحد نور
سید صالح قریشی – دانشگاه آزاد اسلامی واحد نور

چکیده:
در این مقاله ساختار جدیدی به منظور بهبود عملکرد ترانزیستورهای اثر میدانی مبتنی بر نانونوار گرافین ارائه شده است در ساختار پیشنهادی از یک ناحیه با آلایش کم در سمت درین استفاده شده است. به همین منظور ساختار پیشنهادی را ترانزیستورهای اثر میدانی تونلی با آلایش کم در سمت درین نامگذاری نمودیم. ساختار پیشنهادی از لحاظ رفتار کلید زنی از عملکرد بسیار بهتری نسبت به ساختار معمول برخوردار می باشد همچنین جریان Ambipolar که از مشکلات ساختارهای تونلی متداول می باشد بسیار کاهش یافته است.