سال انتشار: ۱۳۸۷

محل انتشار: پانزدهمین کنفرانس اپتیک و فتونیک ایران

تعداد صفحات: ۴

نویسنده(ها):

محمدرضا محمدی – گروه فیزیک دانشگاه سیستان و بلوچستان
عبدالجواد نوینروز – بخش خواص مواد و پرتوهای یونی، مرکز تحقیقات هستهای انرژی اتمی-کرج ،
حسین مرشدی – دانشگاه آزاد اسلامی واحد ابهر

چکیده:

لایه های نازک سولفید کادمیم به روش تبخیر حرارتی در خلأ با آهنگ nm/s 3/5 به ضخامت تقریبی nm 600 در دمای ۲۲۵ درجه سانتیگراد تهیه شدهاند. سپس با روش تبخیر حرارتی لایه ایندیم به ضخامتهای،۵ nm و ۱۰nm و ,۱۵ nm و ۲۰ nmروی لایه هایCdS لایهگذاری شده اند و از دستگاه کاشت یون (MBM) برای نفوذ اتمهای ایندیم به منظور کاهش مقاومت الکتریکی لایه های CdSاستفاده شده است . ثابتهای اپتیکی (n,k) ضریب جذب و گاف انرژی این لایه در ناحیه مرئی مورد مطالعه قرار گرفته ا س ت. برای مطالعه ریخت، تعیین اندازه دان ه ها و ساختار لای ه ها از آنالیزهای SEM و XRD استفاده شده اس ت . الگوی پراش پرتو X نشان م ی دهد که لای ه ها دارای ساختار ششگوشی با رشد ترجیحی صفحه ( ۱۰۱ ) هستند. گاف انرژی لایهها بسته به میزان ضخامت ایندیم از eV و۲/۳۹ تا eV 2/34 تغییر میکند. مقاومت الکتریکی لایهها که با روش کاوه چارنقطهای اندازهگیری شده است از ۴ در ×۱۰-۲ Ω − cm 8 تا ×۱۰-۲ Ω − cm تغییر است.