سال انتشار: ۱۳۷۴

محل انتشار: دومین کنگره سرامیک ایران

تعداد صفحات: ۸

نویسنده(ها):

رحیم نانی – پژوهشکده نیمه هادیان، پژوهشگاه مواد و انرژی
هوشنگ عزیزی – پژوهشکده نیمه هادیان، پژوهشگاه مواد و انرژی

چکیده:

اندازه گیری جرم موثر ناقلها در جامدات از اهمیت بسیاری برخوردار است. یکی از روشهای اندازه گیری مستقیم جرم موثر استفاده از تشدید سیکلوترونی است که خطای آن ۲% می باشد. در روش دیگری که به کار برده می شود جرم موثر از طریق تعیین فرکانس پلاسمای به دست آمده اندازه گیری می شود. خطای این روش که به روش اپتیکی موسوم است، در حدود ۵% می باشد.
در کار حاضر، فرکانس پلاسمای تک بلور InSb رشد داده شده به روش بریجمن در چگالی مختلف الکترونها اندازه گیری شده است. چگالی الکترونها ۱۵ * ۷/۳ به توان ۱۷ (cm-3) الی ۱/۲*۱۵ به توان ۱۹ (cm-3) و فرکانس پلاسما از ۱۰ * ۱/۲ به توان ۱۳ Hz الی ۲/۴۵ * ۱۰ به توان ۱۳ Hz متغییر نموده است. جرم موثر بدست آمده از محاسبات بین ۰/۰۳ تا ۰/۰۷ متغیر بود. این نتیجه با نتایج به دست آمده توسط سایر مولفان مطابقت بسیار بالایی دارد.