سال انتشار: ۱۳۸۶

محل انتشار: دومین همایش دانشجویی فناوری نانو

تعداد صفحات: ۷

نویسنده(ها):

فائزه بستام – تهران، دانشگاه شهید بهشتی، دانشکده علوم، گروه فیزیک
ترانه وظیفه شناس – تهران، دانشگاه شهید بهشتی، دانشکده علوم، گروه فیزیک
قرشاد ابراهیمی – تهران، دانشگاه شهید بهشتی، دانشکده علوم، گروه فیزیک

چکیده:

اساس کار تعیین منحنی مشخصه I-V چاههای کوانتومی چندگانه است که براساس آن انواع دیودهای تونل زنی تـشدیدی طراحـی و سـاخته می شوند . جهت انجام این کار ابتدا با استفاده از روش غیرخودسازگار منحنی مشخصهI-Vچاه پتانسیل یگانه و دوگانه از جنسAlGaAsو GaAs را محاسبه کرده ایم، سپس با استفاده از حل خودسازگار معادلات شرودینگر و پواسون منحنی اثر برهمکنش الکترون – الکترون و الکترون – یون را در محاسبه جریان گنجانده و نتایج بدست آمده از این روش دقیق را با نتایج بدست آمده از روش غیرخودسـازگار کـه خـود یکـی از روشـهای متـداول در تعیین منحنی I-V این نوع ساختارها می باشد مقایسه کرده ایم . نهایتاً با تغییر در پارامترهای سیستم، ساختاری را طراحی کرده ایم که دارای ویژگـی خاصی در منحنی مشخصة I-V خود می باشد که می تواند بعنوان یک قطعه با منطق سه گانه در صنعت نانوالکترونیک معرفی شود