سال انتشار: ۱۳۸۶

محل انتشار: سومین کنفرانس ملی خلاء

تعداد صفحات: ۵

نویسنده(ها):

محمد علی صادق زاده – گروه فیزیک، دانشگاه یزد
لیلا غریب شاهی –
الهام ابوالحسنی –

چکیده:

در این مقاله با پاشش پلاسمایی Ti بر روی سطح تمیز Si ساختار دور آلاییده معکوس p-Si/SiGe/Si اتصال فلز – نیمه رسانای Ti/Siبه عنوان دریچه ایجاد گردید. در لایه آلیاژی این ساختار یک گاز حفره ای دو بعدی (۲DHG) با چگالی سطحی ns وجود دارد و با اعمال ولتاژ مناسب به دریچه Vg میتوان چگالی آن را تغییر داد. با برازش نظری نتایج تجربی ns-Vg به محاسبه چگالی سطحی بارهای میانگاه Ti/Si پرداختیم. نتایج نشان می دهد که با افزایش ضخامت لایه Si پوششی از ۱۸۰ به ۴۸۰ نانومتر چگالی سطحی بارهای میانگاه Ti/Siبه ترتیب از ۴/۶ ضربدر ۱۰ به توان۱۵ cm-2به ۱/۹۵ ضربدر ۱۰ به توان ۱۵ کاهش می یابد.