سال انتشار: ۱۳۸۸

محل انتشار: شانزدهمین کنفرانس اپتیک و فتونیک ایران

تعداد صفحات: ۴

نویسنده(ها):

سیدناصر حسینی – دانشکده فیزیک، دانشگاه تبریز
سیدعماد رضائی توچاهی – دانشکده فیزیک، دانشگاه تبریز
علی سلطانی والا – دانشکده فیزیک، دانشگاه تبریز پژوهشکده فیزیک کاربردی و ستاره شناسی دان
منوچهر کلافی – دانشکده فیزیک، دانشگاه تبریز پژوهشکده فیزیک کاربردی و ستاره شناسی دان

چکیده:

دراین مقاله با استفاده از روش ابر سلول، تنظیم پذیری الکتریکی مد نقص در یک بلور فوتونی یک بعدی که شامل لایه نقص از بلور مایع است بررسی می شود به دلیل نقش تعیین کننده توزیع سمت گیری دایرکتورهای بلور مایع در تعیین موقعیت مدنقص در داخل نوار ممنوعه فرکانسی، این توزیع با کمینه کردن انرژی ازاد گیبس که به معادلات اوپلر – لاگرانژ تبدیل می شود بدست آمده است. معادلات اخیر با استفاده از روش تفاضل محدود محاسبه شده است. نتایج عددی نشان میدهد که موقعیت مدنقص در داخل نوار ممنوعه فرکانسی، از طریق اعمال ولتاژ خارجی بر لایه ی نقص، بطور قابل ملاحظه ای قابل کنترل است.