سال انتشار: ۱۳۸۸

محل انتشار: شانزدهمین کنفرانس اپتیک و فتونیک ایران

تعداد صفحات: ۴

نویسنده(ها):

محمدحسین مجلس آرا – آزمایشگاه فوتونیک گروه فیزیک دانشگاه تربیت معلم، خیابان مفتح شماره ۴۹
زهرا دهقانی – گروه فیزیک دانشگاه آزاد اسلامی واحد علوم و تحقیقات تهران
سمیه ناظر دیلمی – گروه فیزیک دانشگاه آزاد اسلامی واحد علوم و تحقیقات تهران
اسماعیل ساعی ور ایرانی زاد – گروه فیزیک دانشگاه آزاد اسلامی واحد علوم و تحقیقات تهران

چکیده:

نانوذرات ZnS به روش شیمیایی با استفاده از عامل پوششی تهیه شده است. طیف جذب مرئی – فرابنفش این مواد، پیک جذبی در محدوده ۲۹۵ نانومتر را نشان میدهد. به کمک این طیف اندازه نانوذرات ZnS حدود ۲٫۰۳ نانومتر و مقدار شکاف انرژی حدود ۴٫۲ الکترون ولت به دست آمده است. ضریب شکست غیرخطی و ضریب جذب غیرخطی در شدت ۵۰ میلی وات توسط لیزر هلیم – نئون پیوسته با طول موج ۶۳۲/۸nm به کمک چیدمان دریچه بسته و باز روش روبش Z- به ترتیب (فرمول در متن اصلی مقاله) به دست آمده اند. ضریب جذب خطی، α به کمک چیدمان محدود شدگی اپتیکی ۲٫۷ cm -1محاسبه شده است.