سال انتشار: ۱۳۸۶

محل انتشار: دومین همایش دانشجویی فناوری نانو

تعداد صفحات: ۵

نویسنده(ها):

علی اکبر طرلانی – دانشگاه تهران، پردیس علوم، دانشکده شیمی
مصطفی محمدپور امینی – دانشگاه شهید بهشتی، گروه شیمی
منصور عابدینی – دانشگاه تهران، پردیس علوم، دانشکده شیمی

چکیده:

هترو پلی اسید داوسن (H6P2W18O62) بر روی بستر های آلومین تجای و سل – ژل نشانده شده و با BET , XRD , DSC, TGA, IR و SEM مورد بررسی قرار گرفت. هتروپلی اسید داوسن که به صورت خالص در دمای ۳۵۰ درجه سانتی گراد تخریب می شود. بر روی بسترهای آلومین تا دمای ۶۵۰ درجه سانتی گراد پایدار می ماند. BET , SEM نشان داد نانو حفره های الومین سل – ژل نسبت به آلومین تجاری یکنواخت تر و دارای مساحت سطح بالاتر است.
هتروپلی اسیدهای کگین (H2PW12O40) و پرایسلر (H14NaP5W30O110) بر روی بسترهای سیلیسی مزوپور، سیلیکاژل و فیوم سیلیکای عامل دار شده نشانده شد و با ICP , CHN, BET, L.A, XRD, DSC-TGA, IR بررسی شد. نتایج نشان داد که این هتروپلی اسیدها بر روی بسترهای عامل دار شده با (C2H5O), Si(CH2), NH2 به خوبی تثبیت شده اند. بیشترین درصدعامل آمین بر روی نانو حفره های مزوپور و بیشترین درصد هتروپلی اسید بر روی بستر فیوم سیلیکا قرار گرفت.