سال انتشار: ۱۳۸۷

محل انتشار: کنفرانس فیزیک ایران ۱۳۸۷

تعداد صفحات: ۴

نویسنده(ها):

مریم موسوی – مرکز تحقیقات فیزیک پلاسما، دانشگاه آزاد اسلامی واحد علوم و تحقیقات
مرتضی اصلانی نژاد – مرکز تحقیقات فیزیک پلاسما، دانشگاه آزاد اسلامی واحد علوم و تحقیقات – م
فرامرز کنجوری – گروه فیزیک، دانشگاه شاهد، تهران

چکیده:

در این مقاله توزیع فضایی جریان در سه لایه ای متشکل از یک لایه ی عایق نازک I با ضخامت در حدود نانومتر، میان دو لایه ی فرومغناطیس F در حضور ناخالصی نقطه ای، بررسی شده است. باحل معادله شرودینگر، و با حل دقیق معادله ی دایسون، تابع گرین سیستم محاسبه میشود. باداشتن تابع گرین سیستم، با استفاده ازفرمول بندی کوبوتانسوررسانش و در نهایت چگالی جریان الکتریکی در هندسه CCP (جریان، عمود برسطح لایه ها)برای ساختار سه لایه ای محاسبه شده است. در نهایت توزیع فضایی چگالی جریان الکتریکی بر روی سطح لایه ها بر حسب فاصله از مکان ناخالصی برای پیکربندی های مختلف مغناطش در الکترودهای فرومغناطیس و برای کانالهای مختلف اسپینی ترسیم شده است.