سال انتشار: ۱۳۸۶

محل انتشار: دومین همایش دانشجویی فناوری نانو

تعداد صفحات: ۵

نویسنده(ها):

محمدمهدی حسنی متین – گروه فیزیک، دانشکدة علوم، دانشگاه شهید چمران اهواز
منصور فربد – گروه فیزیک، دانشکدة علوم، دانشگاه شهید چمران اهواز
ایرج کاظمی نژاد – گروه فیزیک، دانشکدة علوم، دانشگاه شهید چمران اهواز

چکیده:

در این کار تحقیقاتی نانولولههای کربنی به روش قوس الکتریکی در حضور میدان مغناطیسی و عدم حضور میدان مغناطیسی در جریانهای مختلف ۳۰-۵۵) آمپر ) و همچنین اتمسفرهای آرگن و هلیم، در فشارهای ۰/۷ ، ۱ و ۱/۳ اتمسفر تولید گردیدند . سپس اقدام به خالصسازی نانولولههای کربنی به روش اکسیداسیون حرارتی کردیم . نمونههای بدست آمده توسط میکروسکوپهای الکترونی SEM وTEM مورد مطالعه قرار گرفتند . تصاویر بدست آمده نشان داد که نانولولههای کربنی تولید شده x و همچنین توسط دستگاه پراش اشعهدر حضور میدان مغناطیسی نسبت به نانولولههای کربنی تولید شده در غیاب میدان مغناطیسی با خلوص بسیار بالاتر، منظمتر و موازیتر میباشد