سال انتشار: ۱۳۸۶

محل انتشار: کنفرانس فیزیک ایران ۱۳۸۶

تعداد صفحات: ۴

نویسنده(ها):

افسون صعودی – آزمایشگاه لایه نازک ، دانشکده برق و کامپیوتر دانشگاه تهران، دانشکده
شمس الدین مهاجرزاده – آزمایشگاه لایه نازک ، دانشکده برق و کامپیوتر دانشگاه تهران
عزت اله ارضی – دانشکده فیزیک دانشگاه تهران

چکیده:

تولید نانوذرات سیلیکات روی آلاییده با منگنز به روش واکنش حالت جامد و تولید سولفید روی غیر آلاییده به روش سل ژل بررسی شده است . همچنین خواص نوری لایه نازک سیلیکات روی که با دستگاه کندوپاش لایه نشانی شده و تحت فرایند هیدروژن دهی قرار گرفتهاند مورد مطالعه قرار گرفته است . اندازهگیریها تولید ذرات با شعاع ۱۰ تا ۲۰ نانومتر را نشان دادهاند . با توجه به طیف فوتولومینسانس این مواد، قله تابش در ۵۹۳ نانومتر مشاهده شده است که بیانگر آن است که میتوان آنها را به عنوان فسفر سبز در فناوری نمایشگرها مورد استفاده قرار داد .