سال انتشار: ۱۳۸۷

محل انتشار: نهمین کنفرانس ماده چگال

تعداد صفحات: ۴

نویسنده(ها):

روح اله خوش لحنی – گروه فیزیک، دانشکده علوم، دانشگاه اصفهان
مریم احمدنیای مطلق – گروه فیزیک، دانشگاه اصفهان، اصفهان
محمدعلی شاهزمانیان – گروه فیزیک، دانشگاه اصفهان، اصفهان

چکیده:

در این مقاله به بررسی و محاسبه رسانش الکتریکی بین دو نقطه کوانتومی جفت شده پرداخته و آن را بدست می آوریم که به دما و تبهگنی انرژی بین دو نقطه ای وابسته است. نتایج ما نشان می دهند که رسانش الکتریکی در ازای مقادیر خاص ولتاژ دریچه مقدار دارد و به عبارت در مقادیر دیگر ولتاژ دریچه سیستم بصورت عایق رفتار می کند. وابستگی دمایی رسانش بصورت تقریبی با T/1 متناسب است.