سال انتشار: ۱۳۸۷

محل انتشار: شانزدهیمن کنفرانس مهندسی برق ایران

تعداد صفحات: ۴

نویسنده(ها):

زهرا عارفی نیا – دانشگاه سمنان
علی اصغر اروجی – دانشگاه سمنان

چکیده:

در این مقاله جریان نشتی حالت خاموش ترانزیستورهای نانوتیپ کربن با سطح تماس های سورس و درین سد شاتکی میان گافی مورد بررسی و شبیه سازی قرار گرفته است. جریان نشتی حالت خاموش به دو قسمت تفکیک می شود، یکی گسیل گرمایی حاملها از روی سد شاتکی و دیگری تونل زنی حامل ها از میان حالتهای ناپایدار گاف نواری است. نتایج شبیه سازی ها نشان می دهند که هنگامی که گسیل گرمایی حامل ها قسمت عمده جریان نشتی را تشکیل می دهد با تغییر ابعاد ترانزیستور میزان جریان نشتی تقریباً ثابت می ماند اما هنگامی که تونل زنی از گاف نواری قسمت عمده جریان نشتی را تشکیل می دهد، با کاهش ابعاد قطعه جریان نشتی به صورت نمایی افزایش می یابد.