سال انتشار: ۱۳۸۶

محل انتشار: کنفرانس فیزیک ایران ۱۳۸۶

تعداد صفحات: ۴

نویسنده(ها):

سمیه مهدیزاده – دانشگاه صنعتی خواجه نصیرالدین طوسی
رضا افضل زاده – دانشگاه صنعتی خواجه نصیرالدین طوسی
فرامرز حسین بابایی – دانشگاه صنعتی خواجه نصیرالدین طوسی

چکیده:

فلز Zn به روش PVD با تبخیر حرارتی بر روی زیرآیند های شیشه ای نشانده شد . برای دستیابی به لایه اکسید روی، لایه های حاصل به مدت ۳ ساعت در دماهـ ای ۵۰۰ و ۶۰۰ درجه سانتیگراد در کوره اکسید شده سپس به عنوان حسگر گاز مور د استفاده قرار گرفت . تغییر رسانش الکتریکی لایه های نمونه در اثر افـزایش دمـا بررسـی شد . همچنین لایه های ZnO حاصل به عنوان حسگر اتانول مورد بررسی قرار گرفت . دمای بهینه کار حسگر حدود ۲۷۰ ° C به دست آمد . تغییرات حساسیت نسبت بـه تراکم اتانول نیز بررسی و مشاهده شد که حسگر اکسید شده در ۵۰۰ °C نسبت به اتانول تا حدود ۱۵۰۰۰ ppm حالت اشباع نشان نمی دهد .