سال انتشار: ۱۳۸۷

محل انتشار: کنفرانس فیزیک ایران ۱۳۸۷

تعداد صفحات: ۴

نویسنده(ها):

اشرف اسادات ضیایی – دانشکده تحصیلات تکمیلی دانشگاه آزاد اسلامی واحد نجف آباد
فرامرز کنجوری – گروه فیزیک دانشگاه شاهد، تهران – دانشکده فیزیک دانشگاه یزد
مرتضی اصلانی نژاد – مرکز تحقیقات فیزیک پلاسما، دانشگاه آزاد اسلامی واحد علوم و تحقیقات،

چکیده:

در این مقاله به بررسی ترابرد الکترون در نانوترانزیستورها پرداخته شده است. با استفاده از رهیافت نیمه کلاسیک مبتنی بر معادلات بولتزمن برای رژیم بالیستیک جریان الکتریکی برای یک ساختار دو بعدی و همچنین برای یک سیم کوانتومی محاسبه شده است. محاسبات مبتنی بر مدلی است که توسط ا-رحمان، جی-گئو و س. داتا ارائه شده است