مقاله خصوصيات ساختاري و اپتيکي فيلم نيتريد سيليکون توليد شده بر روي سيليکون توسط فرآيند کاشت يون با انرژي کم که چکیده‌ی آن در زیر آورده شده است، در بهار ۱۳۸۸ در علوم پايه (دانشگاه آزاد اسلامي واحد علوم تحقيقات) از صفحه ۶۳ تا ۷۲ منتشر شده است.
نام: خصوصيات ساختاري و اپتيکي فيلم نيتريد سيليکون توليد شده بر روي سيليکون توسط فرآيند کاشت يون با انرژي کم
این مقاله دارای ۱۰ صفحه می‌باشد، که برای تهیه‌ی آن می‌توانید بر روی گزینه‌ی خرید مقاله کلیک کنید.
کلمات مرتبط / کلیدی:
مقاله نيمه هادي
مقاله کاشت يون
مقاله پراش اشعه ايکس
مقاله زبري سطح
مقاله مقاومت سطحي

نویسنده(ها):
جناب آقای / سرکار خانم: درانيان داوود
جناب آقای / سرکار خانم: آزادفر پروانه
جناب آقای / سرکار خانم: ساري اميرحسين

چکیده و خلاصه‌ای از مقاله:
مقدمه: تکنولوژي وارد کردن ناخالصي، يکي از فرآيندهاي بسيار مهم براي نيمه رساناها به شمار مي آيد که از آن در ساختن وسايل و تجهيزات الکترونيکي مدرن استفاده مي شود. در بهبود عملکرد وسايل ساخته شده از سيليکون در مدارهاي مجتمع و همچنين نياز به هر چه کوچک تر شدن سايز اين وسايل، روش کاشت يون مورد توجه بوده است. زيرا در روش کاشت يون مقدار ناخالصي و مکان ناخالصي در سيليکون دقيقا مشخص مي شود و امکان تکرار پذيري آن فراهم بوده و در مقايسه با روشهاي ديگر روش قابل کنترلي است. در سال هاي اخير توجه زيادي به ترکيبات نيتريدي مي شود که از اين بين مي توان به برخي از ترکيبات نيتريدي از قبيل  AlNو GaN و Si3N4 اشاره کرد که در صنعت کار برد وسيعي داشته و بررسي بر روي آنها از لحاظ تئوري و تجربي ادامه دارد.
هدف: در اين تحقيق سطح ويفر سيليکون در دزهاي مختلف تحت بمباران يون هاي نيتروژن قرار گرفته و نتايج حاصل بررسي شده اند. هدف ما از انجام اين تحقيق به دست آوردن مشخصه هاي ساختاري، الکتريکي و اپتيکي نيتريد سيليکون توسط فرآيند کاشت يون بوده است. نکته برجسته اين تحقيق انرژي بسيار پايين يون هاي نيتروژن بکار برده شده جهت توليد نيتريد سيليکون بوده است.
روش بررسي: نمونه هاي تک کريستالي سيليکون نوع p به عنوان نمونه خام مورد استفاده قرار گرفتند. اين نمونه ها با يون نيتروژن با انرژي ۲۹ كيلوالكترون ولت و در چگالي جريان ۱۰۰ mA/cm2 در دزهاي ۱۰۱۶ تا ۱۰۱۸ يون بر سانتي مترمربع بمباران شدند. براي شناسايي و مطالعه نمونه ها از سيستم طيف سنجي عبوري و بازتابشي، تصاوير ميکروسکپ نيروي اتمي، سيستم پراش اشعه ايکس و سيستم چهار پروب براي اندازه گيري مقاومت سطحي استفاده شد.
نتايج: نتايج حاصله از الگوهاي XRD تاييد مي کند که در اين مقدار انرژي پرتو يوني، فرآيند کاشت ثابت شبکه را تغيير نمي دهد و اين که بر ساختار مکعبي سيليکون ساختار ارتورمبيک نيتريد سيليکون ساخته شد. افزايش دز پرتو يوني، ميزان ناصافي سطح را افزايش داد و همچنين مقاومت ويژه سطوح نمونه هاي کاشته شده نيز به طور قابل توجهي تحت تاثير فرآيند کاشت يون قرار گرفته و افزايشي در حدود ۵۰% در پي داشت. نيز کاشت يون نيتروژن باعث توليد ترازهاي تخريب در سيليکون شده و گاف انرژي را افزايش داد.
نتيجه گيري: نتايج حاصله تاييد مي کنند که براي ساخت لايه نانومتري نيتريد سيليکون ضرورتا نيازي به يونهاي بسيار پرانرژي نيست. همانگونه که در اين کار نيز نشان داده شده ا ست با انرژي در حدود ۳۰ کيلو الکترون ولت نيز مي توان به لايه اي از نيتريد سيليکون دست يافت. مطالعه اين لايه نشان مي دهد که نيتريد سيليکون تهيه شده به اين روش تمام شرايط استفاده در صنايع نيمه هادي را دارا مي باشد.