سال انتشار: ۱۳۸۶

محل انتشار: کنفرانس فیزیک ایران ۱۳۸۶

تعداد صفحات: ۴

نویسنده(ها):

سیف ا… جلیلی – دانشکده علوم ، دانشگاه صنعتی خواجه نصیرالدین طوسی
مهرانه تیراندری – دانشکده علوم ، دانشگاه صنعتی خواجه نصیرالدین طوسی
سیدمحسن صالح کوتاهی – دانشکده علوم ، دانشگاه صنعتی خواجه نصیرالدین طوسی

چکیده:

در این کار خواص الکترونی Si1-xGexO2 با ساختار –i فاز(x=0/35, 0/5, 0/75, 1) با روشهای بر مبنای نظریه تابعی چگالی مورد بررسی قرار گرفته است . تأثیر تغییر جایگاه اتم های سلسیوم و ژرمانیوم بر ساختار نواری نیز بررسی شده است . محاسبات نشان می دهد که این ساختارها پایدار هستند و گاف انرژی آنها بین۲/۳۹۴ تا eV 4/584 است که بستگی به جایگاه اتمها و فشار روی سیستم دارد