سال انتشار: ۱۳۸۷

محل انتشار: نهمین کنفرانس ماده چگال

تعداد صفحات: ۴

نویسنده(ها):

علیرضا بی آرام – دانشکده فیزیک، دانشگاه صنعتی شاهرود
حسین عشقی –

چکیده:

در این مقاله به بررسی تاثیر ناخالصی تراکم آنتیموان (تا ۲ درصد وزنی ) بر خواص ساختاری و اپتیکی لایه های نازک نانومتری (۲۰۰nm ≈) اکسید قلع که به روش اسپری پایرولیزیز در دمای ۴۲۵ºC رشد یافته اند پرداخته ایم. دریافتیم با افزایش تراکم ناخالصی بنابر الگوی پراش پرتو x از تبلور لایه ها کاسته شده و ضریب عبور اپتیکی نیز کاهش یافته است . نتایج مطالعات نظری ما نشانگر آن است که با افزایش تراکم ناخالصی گاف نواری مستقیم ماده از ۳/۷۶ تا ۳/۵۲ الکترون ولت کاهش یافته است. همچنین تغییرات ضریب شکست لایه ها بر حسب تابعی از طول موج، از رابطه کوشی پیروی می کنند که حاکی از پاشندگی عادی در این نمونه ها است.