سال انتشار: ۱۳۹۰

محل انتشار: دومین همایش ملی مهندسی اپتیک و لیزر ایران

تعداد صفحات: ۵

نویسنده(ها):

امین نکوبین – دانشکده مهندسی مواد، دانشگاه آزاد اسلامی واحد نجف آباد

چکیده:

چکیده-نانوسیمهای اکسیدروی ZnO) از طریق روش محلولی و به صورت اپیتکسیال رشد داده شد. رشد نانوسیمهای اکسیدروی ZnO) بر رویبذر لایه از جنس ذراتZnO توسط روش سل- ژل و از طریق پوشش دهی چرخشی ایجاد شد. سطوح ایجاد شده توسط میکروسکوپ الکترونی روبشیSEM) بررسی شد. همچنین جهت بررسی فازی سطوح تشکیل شده و جهتگیری نانومیله ها از سطوح آنالیز تفرق سنجی اشعه ایکسXRD) به عمل آمد.خواص نوری نانوسیمها با استفاده طیف سنجی مریی- فرابنفش بررسی شد.در این روشنانوسیمهای اکسیدروی همراستا با قطر در حدود ۵۰ نانومتر روی سطح پوششداده شد