سال انتشار: ۱۳۸۷

محل انتشار: نهمین کنفرانس ماده چگال

تعداد صفحات: ۴

نویسنده(ها):

نعمت طهماسبی گراوند – دانشکده فیزیک، دانشگاه صنعتی شریف
مهدی رنجبر – دانشکده فیزیک، دانشگاه صنعتی شریف
سید محمد مهدوی – دانشکده فیزیک، دانشگاه صنعتی شریف و پژوهشکده نانو، دانشگاه صنعتی شری
اعظم ایرجی زاد – دانشکده فیزیک، دانشگاه صنعتی شریف و پژوهشکده نانو، دانشگاه صنعتی شری

چکیده:

لایه های اکسید تنگستن از مهمترین ساختارهایی هستند که در حسگری گاز هیدروژن بکار می روند. در این مقاله لایه های اکسید تنگستن به روش لایه نشانی لیزر پالسی بر روی پایه های شیشه ای لایه نشانی شده و سپس ذرات پالادیم به روش الکترولس از محلول کلرید پالادیم بر روی سطح آنها رشد داده شده اند. ذرات پالادیم ا استفاده از تصاویر میکروسکوپ الکترونی روبشی بر روی سطح مشاهده شدند و معلوم گردید ارتباط نزدیکی بین مورفولوژی سطح اکسید تنگستن زیرلایه و چگونگی رشد پالادیم وجود دارد. خاصیت رن گپذیری و زدائی گازی، یعنی تغییر رنگ لایه از شفاف به آبی در حضور گاز هیدروژن یا اکسیژن، نمونه ایجاد شده با لیزر پالسی بررسی شد و نتایج نشان داد که تغییرات زمانی رنگی شدن به صورت یک تابع نمایی از زمان ورود گاز است.