سال انتشار: ۱۳۸۴

محل انتشار: کنفرانس فیزیک ایران ۱۳۸۴

تعداد صفحات: ۳

نویسنده(ها):

پویا هاشمی – آزمایشگاه تحقیقاتی لایة نازک ، گروه مهندسی برق و کامپیوتر ، دانشکدة ف
سیدشمس الدین مهاجرزاده – آزمایشگاه تحقیقاتی لایة نازک ، گروه مهندسی برق و کامپیوتر ، دانشکدة ف
یاسر عبدی – آزمایشگاه تحقیقاتی لایة نازک ، گروه مهندسی برق و کامپیوتر ، دانشکدة ف
نیما ایزدی – آزمایشگاه تحقیقاتی لایة نازک ، گروه مهندسی برق و کامپیوتر ، دانشکدة ف

چکیده:

در این مقاله، برای نخستین بار، روشی برای رشد اکسید سیلیکان در دمای بسیار پایین ارایه می شود . به کمک مراحل متوالی هیدروژناسیون در محیط پلاسما و حرارات دهی، که خود روش نوینی است، لایه سیلیکان بی شکل به ساختار نانو بلور بدل می شود . با کنترل شرایط هیدروژناسیون می توان نانو بلورهایی را با اندازه متوسط دانه یک تا ده نانو متر ایجاد کرد . به کمک اکسیداسیون در محیط پلاسمای RF ، اکسیژن در بین این نانو دانه ها نفوذ می کند و به تدریج کل نانو دانه را به اکسید تبدیل می نماید . این روش می تواند جایگزین روش لایه نشانی اکسید، که عموما در ساخت ترانزیستور های لایه نازک که بر بستر انعطاف پذیر ساخته می شوند، گردد . همچن ین کیفیت اکسید رشد داده شده با آنالیزهایTEM ، SEMو آنالیز ناهمواری(Dectak)مورد بررسی قرار گرفته است.