سال انتشار: ۱۳۸۴

محل انتشار: کنفرانس فیزیک ایران ۱۳۸۴

تعداد صفحات: ۳

نویسنده(ها):

پویا هاشمی – آزمایشگاه تحقیقاتی لایة نازک، گروه مهندسی برق و کامپیوتر، دانشکدة ف
یاسر عبدی – آزمایشگاه تحقیقاتی لایة نازک، گروه مهندسی برق و کامپیوتر، دانشکدة ف
سیدشمس الدین مهاجرزاده – آزمایشگاه تحقیقاتی لایة نازک، گروه مهندسی برق و کامپیوتر، دانشکدة ف
جابر درخشنده – آزمایشگاه تحقیقاتی لایة نازک، گروه مهندسی برق و کامپیوتر، دانشکدة ف

چکیده:

ساختارهای نانو بلوری سیلیکان و ژرمانیم به کمک هیدروژناسیون با پلاسمای RF و حرارت دهی در چندین مرحله متوالی و بدون نیاز به استفاده از فلز ، بر بستر شیشه ای رشد داده شده اند . این فرآیند منجر به ایجاد ساختار های دانه ای سیلیکان و ژرمانیم با اندازه متوسط دانه کمتر از ۱۰۰ نانومتر به ترتیب در دماهای پایین۱۵۰ °C و ۲۵۰ °Cمی شود . اثر توان پلاسمای هیدروژن در دماهای مختلف بر روی بلورینگی این لایه ها به کمک آنالیزTEMو SEMبررسی شده اند . با کنترل دمای حرارت دهی و توان پلاسما ، لایه های چند بلوره سیلیکان و ژرمانیم با کیفیت افزاره ای رشد داده شده اند که می توان از آنها در ساخت ترانزیستورهای لایه نازک که در الکترونیک مساحت بزرگ ارزان قیمت کاربرد دارند ، استفاده کرد