سال انتشار: ۱۳۸۵

محل انتشار: هشتمین کنفرانس ماده چگال

تعداد صفحات: ۲

نویسنده(ها):

شمس الدین مهاجرزاده – قطب علمی نانو الکترونیک دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر – دانشگاه تهرا

چکیده:

رشد عمودی نانولوله های کربنی برروی سیلیکان بصورت گسترده ای انجام شده است . تکامل ساختارهای کپسول شده از نانو لوله های عمودی کربنی با گیت کنترل کننده ذاتی با موفقیت انجام شده است و نتایج آن ارائه می گردد . ساخت و مدل سازی ادوات گسیل الکترون بر اساس نانو ساختارهای کربنی عمودی نیز در حال انجام می باشد که برخی نتایج و چشم اندازهای آن ارائه می گردند . همچنین استفاده از نانوساختارهای کربنی برای انجام لیتوگرافی در اشل نانومتری نیز از موارد دیگر این تکنیک می باشد که گزارش میگردند . رفتار منحصر بفردی در این ادوات مشاهده شده است که آنها را برای کار بصورت ترانزیستورهای گسیل الکترون مفید می سازد . این رفتار که با اشباع جریان آند – کاتد در حضور گیت مدل سازی می گردد با استفاده از گره – خوردگی میدان در نزدیکی کاتد و توسط اعمال ولتاژ گیت قابل بررسی می باشد . این ساختارها قابل استفاده در ترانزیستورهای جریان بالا می باشند که در فرکانسهای بالا نیز کاربرد پیدا خواهند نمود . به منظور بررسی بهتر رشد نانولوله های کربنی مراحل مختلف رشد توسط میکروسکوپ انجام شده است که با مطالعه دقیفتر آن امکان مشاهده رفتار منحصر بفرد هیدروژن دهی در رشد نانولوله ها حاصل شده است . اساسا هیدورژن دهی برای ایجاد ساختارهای نانومتری که در نهایت به رشد نانولوله های کربنی منجر می گردند از اهمیت بالایی برخوردار می باشد که این مساله در مورد الگوهایی با ابعاد کوچکتر به خوبی مشاهده می گردد . با استفاده از هیدروژن دهی متوالی و نیز با منقطع کردن رشد نانولوله و رشد پشت سر هم امکان ایجاد ساختارهای درخت – گونه نیز عملی شده است . این ساختارها و نیز ساختارهایی که در آنها گیت بصورت ذاتی با نانولوله کربنی ساخته می شود ارائه خواهند شد .