سال انتشار: ۱۳۸۶

محل انتشار: سومین کنفرانس ملی خلاء

تعداد صفحات: ۴

نویسنده(ها):

منصور فربد – گروه فیزیک دانشگاه شهید چمران، اهواز
آمنه آهنگر پور –

چکیده:

در دهه های اخیر تلاش فراوانی به منظور ساخت نیمرساناهای با گاف نواری پهن به خاطر کاربردهای زیاد آنها در ادوات اپتوالکتریکی صورت گرفته است. ZnO نیمرسانایی با گاف انرژی پهن و مستقیم حدود ۳/۳vev در دمای اتاق است و که کاربردهای فراوانی در نانوالکترونیک و نانوفتونیک دارد. در این تحقیق برای اولین بار نانوسیم های ZnO به روش اکسیداسیون مستقیم بر روی بستری از شیشه در دمای ۴۰۰ درجه در هوا و یا فلویی از اکسیژن رشد داده شدند.
نانو سیم های تولید شده با میکروسکوپ الکترونی روبشی (SEM) و آنالیز EDX بررسی شدند. قطر نانوسیم ها حدودmn 15-30 و طول آنها به چندین میکرون می رسید.
به منظور بررسی اثر میدان الکتریکی بر جهت مندی آنها میدان های الکتریکی ۱۰۰۰۰-۲۰۰۰ V/m به نمونه ها حین رشد اعمال گردید. نوعی جهت مندی برای میدان های الکتریکی ۵۰۰۰V/m برای رشد داده شده بر روی زیر لایه Zn مشاهده گردید.