سال انتشار: ۱۳۸۷

محل انتشار: کنفرانس فیزیک ایران ۱۳۸۷

تعداد صفحات: ۵

نویسنده(ها):

حسین پناهی –
راضیه عظیمی –
حسین قربان فکر –

چکیده:

انرژی بستگی اکسیتون در چاه کوانتومی دوگانه جفت شده GaAs /GaAlAs در حضور میدان مغناطیسی یکنواخت که در جهت رشد لایه اعمال شده است را مطالعه کردیم. در تقریب جرم موثر و با استفاده از روش وردشی ، حالتهای اکسیتونی با تابع آزمایشی هیدروژن گونه ۱S، در حد دو بعدی و سه بعدی بدست آورده شد و نشان دادیم که با افزایش میدان مغناطیسی، انرژی بستگی در تمام حدها مشابه تغییر در ابعاد ساختار افزایش می یابد. همچنین برای سدهای نازک و میدانهای قوی، تابع موج دو بعدی اکسیتون منجر به نتایج بهتری می شود، برای پهناهای بزرگ ساختار و میدانهای ضعیف نیز، حالتهای سه بعدی به نتایج دقیق تری منجر می شود.