سال انتشار: ۱۳۸۴

محل انتشار: کنفرانس فیزیک ایران ۱۳۸۴

تعداد صفحات: ۳

نویسنده(ها):

حمید هراتی زاده – دانشکده فیزیک دانشگاه صنعتی شاهرود، انستیتوی فیزیک و تکنولوژی سنجش د
مرتضی اسمعیلی – دانشکده فیزیک دانشگاه صنعتی شاهرود
بو مونمار – انستیتوی فیزیک و تکنولوژی سنجش دانشگاه لینشوپینگ ، لینشوپینگ ، سو ئد
هیروشی آمانو – انستیتوی مهندسی برق و الکترونیک دانشگاه میجو ، ن اگویا ، ژاپن

چکیده:

رقابت فرآیندهای بازترکیب نوری و غیر نوری با مطالعه وابستگی دمایی زمان واهلش فوتولومینسانس در بازه دمایی ۲-۳۰۰ K برای دو نمونه از چاه های کوانتمی چندگانه (x=0.07) GaN/AlxGa(1-x)N کهِ یکی از آنها بدون آلایش و دیگری در ناحیه سد آلایش سیلیکونی یافته ، مورد بررسی قرار گرفته است؛ و مشخص شد که در محدوده دماهای پایین مکانیسم بازترکیب تابشی غالب بوده وبا افزایش دما مکانیسم بازترکیب غیرتابشی غالب خواهد شد . در این مطالعه نشان داده شده است که نمونه آلایش یافته با Si نسبت به نمونه بدون آلایش دارای بازترکیب تابشی قویتر بوده و مکانیزم بازترکیب تابشی در آن تا دمای بالاتری نسبت به بازترکیب غیرتابشی غالب می باشد