سال انتشار: ۱۳۸۷

محل انتشار: اولین کنفرانس مهندسی فوتونیک ایران

تعداد صفحات: ۴

نویسنده(ها):

محمدحسن یوسفی – گروه تحقیقاتی نانوفناوری – دانشگاه صنعتی مالک اشتر شاهین شهر- اصفها
سید محمد طاهری – گروه تحقیقاتی نانوفناوری – دانشگاه صنعتی مالک اشتر شاهین شهر- اصفها
حمیدرضا فلاح – گروه فیزیک – دانشگاه اصفهان- اصفهان
علی اصغر عبدالحسین زاده – گروه فیزیک- دانشگاه آزاد اسلامی واحد تفت- یزد

چکیده:

در دمای اتاق با استفاده از روش شیمیایی مرطوب و عامل پوششی Ag آلاییده با CdS چکیده – تولید نانوبلورهای نیمرسانای
و بررسی طیف جذب آن، یک جابه جایی آبی در طول موج جذب و در پی آن UV-Visible مرکپتواتانول انجام شده است. از آنالیز
ثبت شد اندازه XRD افزایش گاف انرژی و کاهش اندازه ذرات حاصل ش د . همچنین فاز مکعبی بعنوان ساختار کریستالی غالب توسط
افزایش بهره نوری همراه با ایجاد قله جدید در (PL) 1,2 تخمین زده ش د . آنالیز فوتولمینسانس nm ذرات با رابطه دبای شرر در حدود
اندازه میانگین ۳ نانومتر و ،TEM 535 با افزایش درصد آلایش نشان دا د . از بررسی مورفولوژی ذرات با nm طول موج بهینه گسیل
توزیع یکنواخت ذرات نتیجه شد.