سال انتشار: ۱۳۸۵

محل انتشار: کنفرانس فیزیک ایران ۱۳۸۵

تعداد صفحات: ۴

نویسنده(ها):

هاجر توحیدی – دانشکده فیزیک، دانشگاه صنعتی شریف، تهران، گروه فیزیک، دانشگاه زنجان
لاله سمیعی – دانشکده فیزیک، دانشگاه صنعتی شریف، تهران
امید اخوان – دانشکده فیزیک، دانشگاه صنعتی شریف، تهران
روح ا… عظیمی – دانشکده فیزیک، دانشگاه صنعتی شریف، تهران

چکیده:

در این تحقیق، خواص اپتیکی و الکتروکرومیکی ذرات اکسید مس ساخته شده در لایه نازک SiO2 به روش سل – ژل بررسی گردید . خواص نوری لا یه های تهیه شده، توسط دستگاه اسپتکروفوتومتر مطالعه شد . در دمای ۲۲۰ °C ، نمونه ها شفاف و سبزکم رنگ با درصد عبور حدود ۸۵% با گاف انرژی ، ۳/۲ eV بدست آمدند .. با افزایش دما، گاف انرژی کاهش یافته بطوریکه در دمای ۲۵۰ °C ، این گاف به ۲/۲ eV تقلیل یافته است . خواص سطحی نمونه هابا استفاده از میکروسکوپ نیروی اتمی (AFM) ، مورد ارزیابی قرار گرفت ومیانگین اندازه ذرات بعد از پخت در دمای ۲۲۰ ° C ، حدود ۵۰ nm اندازه گیری شد . خاصیت الکتروکرومیکی لایه ها با استفاده از دستگاه طیف سنج نور مرئی – فرابنفش و یک سل حاوی الکترولیت اسید سولفوریک تحقیق شد . میزان عبور لایه های تهیه شده به ازای ولتاژهای مختلف بررسی شد و برای ۴ V ، در طول موج ثابت ۵۰۰ نانومترحدود ۵۰ درصد کاهش نشان داد .