سال انتشار: ۱۳۸۷

محل انتشار: کنفرانس فیزیک ایران ۱۳۸۷

تعداد صفحات: ۵

نویسنده(ها):

مهدی حسینی –
علی توانا –
محمد اخوان –

چکیده:

محاسبات ابتدا به ساکن پتانسیل کامل در تقریب شیب تعمیم یافته برای دستگاه MgB2 به منظور بررسی اثر کشش صفحه ای بر ابررسانایی این ماده انجام شده و رفتار پارامتر شبکه محوری c نسبت به کشش صفحه ای بررسی شده است. نتایج نشان می دهد تغییرات c در حدود یک سوم تغییرات پارامتر درون صفحه ای a است. علاوه بر این، چگالی حالتها (DOS)و ساختار نواری (BS) این ماده تحت کشش صفحه ای محاسبه شده است. با اعمال کشش صفحه ای مثبت DOS در سطح فرمی ابتدا افزایش و سپس کاهش می یابد. به ازای کشش صفحه ای منفی، DOS در سطح فرمی به طور یکنواخت کاهش مییابد. از نمودارهای ساختار نواری میتوان دید که نوارهای راستای Γ-A با اعمال کشش مثبت به سمت پایین و با اعمال کشش منفی به سمت بالا منتقل میشوند. بر اساس این محاسبات میتوان نتیجه گیری کرد که به ازای کشش صفحه ای مثبت دمای گذار MgB2 بهبود می یابد.