سال انتشار: ۱۳۹۰

محل انتشار: دومین همایش ملی مهندسی اپتیک و لیزر ایران

تعداد صفحات: ۴

نویسنده(ها):

محمد پیروی – دانشگاه امام حسین(ع)- تهران، اتوبان شهید بابایی
جواد خلیل زاده – دانشگاه امام حسین(ع)- تهران، اتوبان شهید بابایی
شاهین باقری – دانشگاه صنعتی مالک اشتر پردیس تهران
پیام حیدری – دانشگاه صنعتی مالک اشتر پردیس تهران

چکیده:

در این مقاله، کریستالهای فوتونیکی در پلیمر SU8 با استفاده از روشلیتوگرافی تداخلی با تناوب زیر میکرومتر ایجاد شدهاند.به منظور معلقسازی و ایجاد پایه ها، لایه نشانی مجدد پلیمر SU8 ضخیمتر و تابشنور فرابنفشهمراه با ماسکبر روی آن انجام شد. با استفاده از محلول ظهور مادهSU8 طرح پایه های کریستال فوتونیکی ایجاد شده، و پساز جدا سازی به روششیمیایی، کریستالهای فوتونیکی معلق ساخته شدند. سپسبه منظور افزایشکنتراست ضریب شکست، یکلایه از سولفید روی با ضریب شکست ۲/۳ بر روی آن لایه نشانی شده است.