سال انتشار: ۱۳۸۵

محل انتشار: سیزدهمین کنفرانس اپتیک و فوتونیک ایران

تعداد صفحات: ۳

نویسنده(ها):

علی اکبر فراشیانی – مرکز تحقیقات مخابرات ایران، امیر آباد شمالی، تهران، گروه فناوری مخاب
علی محمدی قیداری – پژوهشگاه مواد و انرژی، کرج، پژوهشکده نیمه هادیها
فرزاد بهافرید – پژوهشگاه مواد و انرژی، کرج، پژوهشکده نیمه هادیها

چکیده:

لایه های اکسید روی (ZnO) با اکسیداسیون حرارتی لایه های سولفید روی (ZnS) تهیه شد . لایه های سولفید روی با ضخامت nm200 روی زیر لایه های کوارتز با تبخیر حرارتی در دمای ۲۰۰ °Cلایه گذاری و در محیط هوا گرمادهی شدند . آنالیزهای XRD و EDX نشان داد که گرمادهی در دماهای زیر ۳۰۰ °C باعث بهبود خواص ساختاری و اپتیکی لای ههای سولفید روی شده است. در حالیکه دماهای بین ۴۵۰-۴۰۰ °C باعث تبدیل کامل سولفید روی به اکسید روی شده است . آنالیز فتولومینسانس (PL) لایه های اکسید روی گرمادهی شده در دمای ۵۰۰ °C نشان داد که تنها یک گسیل فرابنفش (UV) که مربوط به گاف انرژی لایه است، در طول موج ۳۷۲nm وجود دارد . هیچ گسیل دیگری در محدوده نور سبز ، که نشا ن دهنده وجود ترازهای تله نا شی از جاهای خالی اکسیژن در لایه است ، دیده نشد.