سال انتشار: ۱۳۸۶

محل انتشار: کنفرانس فیزیک ایران ۱۳۸۶

تعداد صفحات: ۳

نویسنده(ها):

منصور فربد – اهواز، دانشگاه شهید چمران، گروه فیزیک
آمنه آهنگرپور – اهواز، دانشگاه شهید چمران، گروه فیزیک

چکیده:

اکسید روی یک نیمرسانا با نوار انرژی مستقیم و گاف نسبتاٌ پهن ۳/۳۷ الکترون ولت در دمای اتاق است و کاربردهای زیادی در لیزرهای UV ، سنسورهای حساس ، سلولهای خورشیدی و فتوکاتالیستی دارد . اکسید روی دارای نانوساختارهای متفاوت و متنوعی از جمله نانو ذره، نانوسیم، نانوتسمه، نانو میله و نانو لوله ای است . ساختارهای یک بعدی اکسید روی مثل نانوسیمها به دلیل کاربرد آنها در نانو الکترونیک و نانو فوتونیک از اهمیت زیادی برخوردارند و لذا روشهای متنوعی برای ساخت آنها ارایه شده است .
که به روشهای شیمیایی تمیز شده بود در هوا و یا Zn در این مطالعه نانوسیمهای اکسید روی به میزان زیاد از طریق اکسیداسیون مستقیم یک زیر لایه . مطالعه شدند EDX و آنالیز (SEM) درجه سانتیگراد تهیه شدند . نانو سیمها از طریق میکرسکوپ الکترونی روبشی ۴۰۰ فلویی از اکسیژن و در دمای قطر نانو سیمها از ۳۰ تا ۱۵۰ نانومتر و طول آنها به چندین میکرومتر می رسد . این روش که بدون استفاده از کتالیستها صورت می پذیرد روش مناسبی برای ساخت نانوسیمهای نیمرسانا می باشد .