سال انتشار: ۱۳۸۶

محل انتشار: دومین همایش دانشجویی فناوری نانو

تعداد صفحات: ۶

نویسنده(ها):

مجید زارعی – گروه فیزیک دانشگاه کاشان ،کاشان، ایران
محمد نورمحمدی – گروه فیزیک دانشگاه کاشان ،کاشان، ایران
محمد الماسی کاشی – گروه فیزیک دانشگاه کاشان ،کاشان، ایران
عبدالعلی رمضانی – گروه فیزیک دانشگاه کاشان ،کاشان، ایران

چکیده:

آرایه ای از نانوسیم های مس به روش نهشت الکتروشیمیایی با استفاده از ولتاژ متناوب پالس و پیوسته سینوسی در قالب اکسید آلومینیوم آندی، ساخته شد. تاثیر ولتاژ نازک سازی لایه سدی ونوع ولتاژ نهشت در رشدنانو سیم ها تا رسیدن به سطح، مورد بررسی قرار گرفت، ولتاژ بهینه برای نازک سازی که بعد از آن نهشت بهتر انجام شده و به لایه سدی اسیبی نمی رسد تا ۵ ولت می باشد. استفاده از روش پالسی با زمان خاموشی متناسب، نسیبت به ولتاز پیوسته نتیجه بهتری به بار می آرود. چون زمان خاموشی باعث سرد شدن لایه سدی و مانع از تخریب آن می شود . مدت زمان بالک شدن می تواند با تغییر ولتاژ نهشت تغییر کند.