سال انتشار: ۱۳۸۷

محل انتشار: نهمین سمینار ملی مهندسی سطح و عملیات حرارتی

تعداد صفحات: ۷

نویسنده(ها):

رسول اژئیان – استادیار ، دانشگاه علم و صنعت ایران
سارا پناهیان ژند – دانشجوی کارشناسی ارشد دانشگاه علم و صنعت ایران

چکیده:

کنترل نوع رسانایی نیمه عایق هایی که شامل عنصر روی هستند با مشکلات زیادی روبرو است در این تحقیق دو روش نفوذ ناخالصی اکسیژن در ماده ZnTe بمنظور تولید نیمه هادی نوع N,p مورد بررسی قرار گرفت ۱-لایه نشانی با دمای بالا و سپس عملیات حرارتی در کوره معمولی برای تولید نیمه رسانای n .2- ورود گاز اکسیژن به محفظه در حین لایه نشانی در دمای اتاق برای تولید نیمه رسانای نوع pدر پژوهش زیر لایه نشانی فیلمهای تلورید روی به روش تبخیر حرارتی در خلاحدود ۰٫۰۰۰۰۱انجامشد.اندازه گیریهای انجام شده از طریق اثر هال مشخص شد که لایه های حرارت داده شده با دمای ۶۰۰ در اتمسفر از آنجاییکه غلظت اکسیژن در آنها بالاست نیمه رسانای نوع n هستند و فیلمهایی که در حین لایه نشانیدر معرض اکسیژن قرار گرفته اند نیمه رسانای نوع pمیباشند تصاویر SEMنشان میدهند که اندازه ساختار لایه های رشد داده شده در دمای بالاتر بزرگتر است.در حالیکه فیلمهایی که بادمای زیر لایه پایین تر لایه نشانی شده اند دانه بندیهای کوچکتری دارند.