سال انتشار: ۱۳۸۶

محل انتشار: چهاردهمین کنفرانس اپتیک و فوتونیک ایران

تعداد صفحات: ۵

نویسنده(ها):

نسرین صالحی – دانشکده فیزیک،دانشگاه صنعتی شاهرود، میدان هفتم تیر، شاهرود؛ مرکز آم
حسین عشقی – دانشکده فیزیک،دانشگاه صنعتی شاهرود، میدان هفتم تیر، شاهرود
مرتضی ایزدی فرد – دانشکده فیزیک،دانشگاه صنعتی شاهرود، میدان هفتم تیر، شاهرود

چکیده:

ما در این مقاله داده های تجربی وابسته به مشخصه های I-V سلول های خورشیدی دو نمونه با سطوح متخلخل (عادی) را تحت شدت های تابشی (Pin) مختلف مورد بررسی قرار داده ایم. این داده ها حاکی ار آنند که چگالی جریان اتصال کوتاه: (۱) همواره به ازای هر مقدارPin در نمونه متخلخل بزرگتر از نمونه عادی است، (۲) با شدت تابش به طور خطی (Jsc=βPin) افزایش می یابد. محاسبات کمی نشان می دهد : مورد نخست می تواند نتیجه وابستگی مقاومت متوالی به شدت تابش و کوچکتر بوده این کمیت در قطعه متخلخل باشد و مورد دوم وابسته به میزان بازتابندگی نور در سطح نمونه هاست که به نوبه خود بر شیب (β) تاثیر می گذارد.