سال انتشار: ۱۳۸۶

محل انتشار: کنفرانس فیزیک ایران ۱۳۸۶

تعداد صفحات: ۴

نویسنده(ها):

مریم شه پوری فریمانی – گروه فیزیک دانشگاه پیام نور مرکز مشهد
ناصر شاه طهماسبی – گروه فیزیک دانشگاه فردوسی مشهد، آزمایشگاه نانوتکنولوژی – دانشگاه فرد
محمدرضا بنام – گروه فیزیک دانشگاه پیام نور مرکز مشهد
محمدمهدوی باقری محققی – آزمایشگاه نانوتکنولوژی – دانشگاه فردوسی مشهد، دانشگاه فیزیک – دانشگاه

چکیده:

در این مقاله لایه هاینازک اسید روی با ناخالصی Al به روش اسپری پایرولیزیز تهیه شده است. اثر ناخالصی ، دمای زیر لایه و ضخامت لایه ها روی خصوصیات الکتریکی و اپتیکی مطالعه شده است. مطالعات طیفی جذبی اپتیکی نشان می دهد که لایه ها با ناخالصی ۲% دارای بیشترین باند گاف، ۳/۳۱۲ ev می باشد. کمترین مقاومت الکتریکی لایه ها در دمای زیر لایه۴۵۰ درجه سانتی گراد و ناخالصی ۳% با ضخامت ۳۹۰nm ، ۱۵۰ کیلو اهم ، می باشد و تصاویر SEM تغییرات مورفولوژی سطح لایه ها را نشان میدهد.