سال انتشار: ۱۳۸۵

محل انتشار: هفتمین سمینار ملی مهندسی سطح و عملیات حرارتی

تعداد صفحات: ۸

نویسنده(ها):

نعیمه ناصری – دانشکده فیزیک، دانشگاه صنعتی شریف
روح الله عظیمی راد، – دانشکده فیزیک، دانشگاه صنعتی شریف
امید اخوان – دانشکده فیزیک، دانشگاه صنعتی شریف
علیرضا مشفق – دانشکده فیزیک، دانشگاه صنعتی شریف

چکیده:

در این تحقیق، لایه های نازکSiO ، حاوی ۳/۲ % طلا روی زیر لایه شیشه ای به روش سل ژل تهیه گردید. ابتدا نمونه ها در دمای ۸۰ درجه سانتیگراد خشک شدند و سپس در دماهای مختلف پخت گردیدند و اثر تغییرات دما بر طیف جذبی لایه ها، زبری و اندازه دانه های سطحی ، انرژی گاف و ترکیب شیمیایی نمونه ها بررسی شده است . تحلیل بر اساس نتایج طیف سنجی نوری مریی – فرابنفش نشان میدهد با افزایش دمای پخت از ۲۰۰ به۴۰۰ درجه سانتیگراد مکان قله جذبی از ۵۵۰ به ۵۱۶nm انتقال یافته و انرژی گاف نمونه ها نیز از ۳/۶۳ به ۳/۷۵eV افزایش یافته است. تصاویر AFM حاکی از کاهش اندازه ذرات سطحی از ۱۸۷ به ۱۱۳nmبا بالا رفتن دماست، و این در حالی است که آنالیز XRD اندازه نانو کریستال های طلا را ۲۵nm برآوردمیکند. در نهایت با استفاده از نتایج اسپکتروسکوپی فتوالکترون های اشعه ایکس (XPS ) میتوان دریافت که با افزایش دمای پخت کسر مولی Au/Si در سطح بیشتر میشود.